1 石墨烯系統(tǒng)兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式
2 石墨烯系統(tǒng)可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長
3 使用計(jì)算機(jī)控制，可以設(shè)置多種生長參數(shù)
4 可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達(dá)數(shù)厘米，研究動(dòng)力學(xué)過程
5 沉積效率高；薄膜的成分精確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數(shù)毫米，可以實(shí)現(xiàn)厚膜沉積且能大量生產(chǎn)

產(chǎn)品性：

PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。
產(chǎn)品組成：
PECVD系統(tǒng)配置：
1.1200度開啟式雙溫區(qū)真空管式爐

2.等離子射頻電源

3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

4.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）  

產(chǎn)品特點(diǎn)：

生長溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，適用范圍廣，設(shè)備簡單。